參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
封裝： CASE 29-10, TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： MPSW06
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPSW05
MPSW06
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
60
80
Vdc
Collector–Base Voltage
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watt
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSW05
MPSW06
V(BR)CEO
60
80
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
MPSW05
MPSW06
ICES
—
—
0.5
0.5
μ
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
MPSW05
MPSW06
ICBO
—
—
0.1
0.1
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
0.1
μ
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle
2.0%.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Order this document
by MPSW05/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
*Motorola Preferred Device
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW05 One Watt Amplifier Transistors
MPSW06 NPN General Purpose Amplifier
MPSW10 One Watt High Voltage Transistor
MPSW13 One Watt Darlington Transistors
MPSW13 One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW06_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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