參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW05
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
封裝： CASE 29-10, TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： MPSW05
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Base–Emitter Temperature Coefficient
–0.8
–2.8
1.0
100
10
θ
VB for VBE
0.5
2.0
5.0
20
50
200
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
V
θ
°
500
C
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
80
60
40
20
10
8.0
4.0
TJ = 25
°
C
Cobo
Cibo
6.0
Figure 6. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
300
200
100
70
50
30
VCE = 2.0 V
TJ = 25
°
C
f
T
100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2 k
1.0
I
MPSW05
MPSW06
2.0
5.0
Figure 7. Active Region — Safe Operating Area
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
500
200
100
50
20
10
10
20
60
80 100
100
μ
s
1.0 ms
1.0 s
TC = 25
°
C
TA = 25
°
C
dc
dc
1 k
DUTY CYCLE
≤
10%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW06 One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)
MPSW05 One Watt Amplifier Transistors
MPSW06 NPN General Purpose Amplifier
MPSW10 One Watt High Voltage Transistor
MPSW13 One Watt Darlington Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW05_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPSW05G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW06_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*