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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA29G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Transistors NPN Silicon |
| 中文描述： | 500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | MPSA29G |
MPSA28, MPSA29
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. “ON” Voltages
Figure 3. Temperature Coefficients
Figure 4. Collector Saturation Region
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
Figure 6. High Frequency Current Gain
100
1 k
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
20
50
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1 k
1.0
1.4
1.0
0.8
0.6
100
500
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
B
, BASE CURRENT ( A)
1.0
0.2
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
2.0
200
2.0
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1 k
200
100
50
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
100
0.3
10
5.0
2.0
1.0
0.2
0.1
10
5.0
V
CE
= 5.0 V
hF
V
V
VC
5.0
2.0
1.0
10
2.0
5.0
20
50
200
500
T
A
= 125
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 55
°
C
200
500
2.0
5.0
10
20
50
1.2
1.6
1.8
T
A
= 25
°
C
V
BE(S)
@ I
C
/I
B
= 1.0 k
V
CE(S)
@ I
C
/I
B
= 1.0 k
V
BE(ON)
@ V
CE
= 5.0 V
°
2.0
5.0
10
20
50
10
20
100 200
1 k 1.5 k
T
A
= 25
°
C
,
IC
20
100
50
500
0.5
2.0
5.0
200 300
20
50
0.5
hf
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25
°
C
f = 100 MHz
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 250 mA
I
C
= 500 mA
1.0 ms
1.0 s
T
A
= 25
°
C
MPSA28
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA29
100 s
T
C
= 25
°
C
25
°
C to 125
°
C
25
°
C to 125
°
C
55
°
C to 25
°
C
55
°
C to 25
°
C
VC for V
CE(S)
VB for V
BE
VALID FOR DUTY CYCLE
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA29RLRP | Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSA29RLRPG | Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPV3J80U8PJ-R | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
| MPV3J80B1QJ-R | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
| MPV3J80B8PJ | 9x14 mm, 3.3 Volt, PECL/LVDS, VCXO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA29RLRP | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 100V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA29RLRPG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 100V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA30 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPSA42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS-A42 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
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