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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA28D26Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 8/15頁 |
| 文件大小： | 870K |
| 代理商： | MPSA28D26Z |
3
MPSA28/MMBTA28/PZTA28, Rev A
MPSA28
/
MMBT
A28
/
PZT
A28
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100
A, V
BE = 0
80
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
80
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
12
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 60 V, IE = 0
100
nA
ICES
Collector Cutoff Current
VCE = 60 V, VBE = 0
500
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
10,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 0.01 mA
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.2
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5.0,
f = 100 MHz
125
MHz
Cobo
Output Capacitance
VCB = 1.0 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
8.0
pF
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NPN Darlington Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
0.2
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
T
YPI
C
A
L
PU
L
SED
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
(
K
)
C
F
E
25 °C
125 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collect or Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
TA
G
E
(
V
)
C
E
(S
A
T
)
- 40 °C
125 °C
ββββ = 1000
25 °C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA28J18Z | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA28D27Z | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA28L34Z | 800 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTA28D87Z | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA42L34Z | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA28G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA28RLRP | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA28RLRPG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA29 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS-A29 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
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