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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA20G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistor NPN Silicon |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | MPSA20G |
MPSA20
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
40
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 2)
(I
C
= 5.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
h
FE
40
400
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.25
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 2)
(I
C
= 5.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
125
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
C
obo
4.0
pF
Figure 1. TurnOn Time
Figure 2. TurnOff Time
EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
*Total shunt capacitance of test jig and connectors
10 k
+3.0 V
275
C
S
< 4.0 pF*
10 k
+3.0 V
275
C
S
< 4.0 pF*
1N916
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0.5 V
<1.0 ns
10 < t
1
< 500 s
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0
9.1 V
<1.0 ns
t
1
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