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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS6724G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MPS6724G |
MPS6724, MPS6725
http://onsemi.com
3
500
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200 k
100 k
70 k
50 k
I
B
, BASE CURRENT ( A)
5.0
50
2.0
1.0
0.5
hF
,
VC
20 k
30
10
20
100
200
10
20
0.5
1.0 2.0
1.5
2.5
3.0
0.1
0.2
100
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
C
=
50 mA
I
C
=
10 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
250 mA
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
7.0
70
50
300
10 k
7.0 k
5.0 k
2.0 k
30 k
3.0 k
V
CE
= 5.0 V
55
°
C
25
°
C
500
200
1000
1.0
5.0
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
1.0
0.8
0.6
0.2
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.04
10
20
7.0
5.0
2.0
2.0
,
hF
10
500
20
4.0
0.1
40
1.0
3.0
C
T
J
= 25
°
C
C
obo
C
ibo
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
f = 100 MHz
100
500
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.6
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
200
V
5.0
10
20
50
T
J
= 25
°
C
100
500
5.0
200
7.0 10
20
50
VB
FOR V
BE
°
,
V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Temperature Coefficients
Figure 6. High Frequency Current Gain
Figure 7. Capacitance
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
7.0
300
30
70
300
30
70
*
VC
FOR V
CE(sat)
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
0.2
0.4
2.0
4.0
20
10
0.4
50
100
200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6724RLRA | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6724RLRAG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
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| MPS6725RLRPG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
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參數(shù)描述 |
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