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參數(shù)資料
| 型號： | MPS6724G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | MPS6724G |
MPS6724, MPS6725
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
MPS6724
MPS6725
V
(BR)CES
40
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
E
= 0)
MPS6724
MPS6725
V
(BR)CBO
50
60
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
12
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 40 Vdc, I
E
= 0)
MPS6724
MPS6725
I
CBO
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 1000 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
25,000
4,000
40,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1000 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
1.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1000 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
1000
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
C
cb
10
pF
300 s; Duty Cycle
2.0%.
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.5
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
20
IC
2.0
5.0
30
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
10
T
A
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
1.0 ms
1.0 s
100 s
Figure 1. Active Region — Safe Operating Area
DUTY CYCLE
≤
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6724RLRA | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6724RLRAG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725RLRP | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725RLRPG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS6724RLRA | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6724RLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6725 | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6725G | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPS6725RLRP | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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