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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS6652G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | MPS6652G |
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
6
Figure 15. BaseEmitter Temperature
Coefficient
Figure 16. BaseEmitter Temperature
Coefficient
Figure 17. Safe Operating Area
Figure 18. Safe Operating Area
Figure 19. MPS6601/6602 Saturation Region
Figure 20. MPS6651/6652 Saturation Region
100
1000
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE
500
200
100
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE
10
40
1.0
500
200
100
50
20
10
20
20
0.1
10
0.01
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.1
100
0.01
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
1.0
T
J
= 25
°
C
RV
IC
NPN
PNP
10
R
VB
for V
BE
°
RV
°
10
0.8
R
VB
for V
BE
2.0
5.0
1 k
2.0
5.0
40
1 k
IC
10
100
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1000 mA
I
C
=
10 mA
T
J
= 25
°
C
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1000 mA
I
C
=
10 mA
1.0 MS
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPS6601
MPS6602
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
1.0 MS
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPS6651
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPS6652
,
VC
,
VC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6724G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6724RLRA | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6724RLRAG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725RLRP | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS6652RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6652RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6652RLRP | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
| MPS6652RLRPG | 功能描述:TRANS PNP GP BIPO 40V TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MPS66R-5000 | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 6P6C SHIELDED SOLID ROUND 50u RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí): |
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