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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS6652G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Amplifier Transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | MPS6652G |
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
5
Figure 9. Capacitance
Figure 10. Capacitance
Figure 11. MPS6601/6602 Noise Figure
Figure 12. MPS6651/6652 Noise Figure
Figure 13. MPS6601/6602 Switching Times
Figure 14. MPS6651/6652 Switching Times
10
2.0
25
5.0
C
ob
C
ib
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
80
60
40
20
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
160
120
80
40
0
100
10 k
10
R
s
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
R
s
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
1 k
10
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
10 k
1 k
20
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
50
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
20
1000
10
500
200
100
50
20
10
100
100
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 5.0 V
f = 1.0 kHz
T
A
= 25
°
C
C
N
N
t
t
NPN
PNP
5.0
1.0
15
3.0
20
4.0
10
2.0
25
5.0
C
ob
C
ib
5.0
1.0
15
3.0
20
4.0
T
J
= 25
°
C
C
I
C
= 100 A
100
V
CE
= 5.0 V
f = 1.0 kHz
T
A
= 25
°
C
I
C
= 100 A
50
200
500
1 k
500
3 k
10 k
5 k
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
t
d
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
t
d
50
200
500
1 k
3 k
5 k
10 k
C
ib
C
ob
C
ib
C
ob
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS6724G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6724RLRA | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6724RLRAG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPS6725RLRP | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS6652RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6652RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6652RLRP | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
| MPS6652RLRPG | 功能描述:TRANS PNP GP BIPO 40V TO-92 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| MPS66R-5000 | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 6P6C SHIELDED SOLID ROUND 50u RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類(lèi)別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí): |
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