參數(shù)資料
型號(hào): MPS2222A
廠商: GE Security, Inc.
英文描述: SMALL SIGNAL TRANSISTORS (NPN)
中文描述: 小信號(hào)晶體管(NPN)的
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 111K
代理商: MPS2222A
MPS2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Small Signal Current Gain
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA, f = 1 kHz
h
fe
50
75
300
375
D
D
Output Admittance
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
at V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA, f = 1 kHz
h
oe
5.0
25
35
200
m
S
Collector Base Time Constant
at I
E
= 20 mA, V
CB
= 20 V, f = 31.8 MHz
r
b
C
C
D
150
ps
Noise Figure
at V
CE
= 10 V, I
C
= 100
m
A, R
S
= 1 k
W
f = 1 kH
Z
NF
D
4.0
dB
Delay Time (see fig.1)
at I
B1
= 15 mA, I
C
= 150 mA, V
CC
=30V, V
BE
= -0.5V
t
d
D
10
ns
Rise Time (see fig.1)
at I
B1
= 15 mA, I
C
= 150 mA, V
CC
=30V, V
BE
= -0.5V
t
r
D
25
ns
Storage Time (see fig. 2)
at I
B1
= I
B2
= 15 mA, I
C
= 150 mA, V
CC
=30V
t
s
D
225
ns
Fall Time (see fig. 2)
at I
B1
= I
B2
= 15 mA, I
C
= 150 mA, V
CC
=30V
t
f
D
60
ns
200
W
+30V
-4 V
< 2 ns
0
C * < 10 pF
C *
200
W
1.0 to 100
m
s, DUTY CYCLE
2%
1.0 to 100
m
s, DUTY CYCLE
2%
+30V
+16 V
-2 V
1k
W
1k
W
Scope rise time < 4ns
*Total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
< 20 ns
0
+16 V
-14 V
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
FIGURE 1 - TURN-ON TIME
FIGURE 2 - TURN-OFF TIME
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PDF描述
MPS2222A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MPS2907A TO-92 PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
MPS2907A Small Signal Transistors(PNP)(小信號(hào)晶體管(PNP))
MPS4356 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
MPS6520C NPN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS2222A-BULKS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222ACRLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222ACRLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2222ARL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2