參數(shù)資料
型號： MPQ3906
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
封裝： PLASTIC, DIP-14
文件頁數(shù)： 12/36頁
文件大?。?/td> 372K
代理商： MPQ3906
MPQ3906
2–499
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = –0.1 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –10 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
hFE
40
60
75
160
180
200
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.1
–0.25
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
VBE(sat)
—
–0.65
–0.85
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = –10 mAdc, VCE = –20 Vdc, f = 100 MHz)
fT
200
250
—
MHz
Output Capacitance (VCB = –5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
3.3
4.5
pF
Input Capacitance (VEB = –0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
4.8
10
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(IC = –10 mAdc, VBE(off) = 0.5 Vdc, IB1 = –1.0 mAdc)
ton
—
43
—
ns
Turn–Off Time
(IC = –10 mAdc, IB1 = IB2 = –1.0 mAdc)
toff
—
155
—
ns
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
3 V
275
10 k
1N916
CS < 4 pF*
3 V
275
10 k
CS < 4 pF*
< 1 ns
+0.5 V
10.6 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
+9.1 V
10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t1
0
10 < t1 < 500 ms
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPQ6001 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ6002 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ6502 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ6426 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
MPQ6600A1 50 mA, 45 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
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參數(shù)描述
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