參數(shù)資料
型號(hào)： MPQ3762
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
封裝： PLASTIC, DIP-14
文件頁(yè)數(shù)： 12/34頁(yè)
文件大小： 326K
代理商： MPQ3762
MPQ3762
2–487
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(2)
DC Current Gain
(IC = –150 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –500 mAdc, VCE = –2.0 Vdc)
(IC = –1.0 Adc, VCE = –2.0 Vdc)
hFE
35
30
20
70
65
35
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
(IC = –1.0 Adc, IB = –100 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.3
–0.6
–0.55
–0.9
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
(IC = –1.0 Adc, IB = –100 mAdc)
VBE(sat)
—
–0.9
–1.0
–1.25
–1.4
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product(2)
(IC = –50 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
150
275
—
MHz
Output Capacitance (VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
9.0
15
pF
Input Capacitance (VEB = –0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
55
80
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(VCC = –30 Vdc, IC = –1.0 Adc, IB1 = –100 mAdc, VBE(off) = 2.0 Vdc)
ton
—
50
ns
Turn–Off Time
(VCC = –30 Vdc, IC = –1.0 Adc, IB1 = IB2 = –100 mAdc)
toff
—
120
ns
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
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PDF描述
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