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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MP03XXX175 |
| 廠商： | Dynex Semiconductor Ltd. |
| 英文描述： | Phase Control Dual SCR, SCR/Diode Modules |
| 中文描述： | 相位控制雙可控硅，SCR /二極管模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | MP03XXX175 |
MP03 XXX 175 Series
4/10
100
10
1.0
0.1
0.001
0.01
0.1
1.0
10
I
FGM
Gate trigger current I
GT
- (A)
G
G
T
j
= 125C
T
j
= 25C
T
j
Uppe imt99%
Lowe imt1%
V
FGM
V
GD
5W
10W
50W
75W100W
Pulse
Width
μs
20
25
100
500
1ms
10ms
50
100
100
100
100
100
10
100
100
100
100
100
50
-
400
100
100
100
25
-
-
Pulse Frequency Hz Table gives pulse power P
GM
in watts
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Instantaneous forward voltage V
F
- (V)
Fig. 1 Maximum (limit) on-state characteristics (thyristor or diode) - See Note 1
2000
1500
1000
500
0
I
F
T
j
= 150C
Measured under pulse conditions
CURVES
Fig. 2 Gate trigger characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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