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參數(shù)資料
| 型號： | MP02XXX190 |
| 廠商： | Dynex Semiconductor Ltd. |
| 英文描述： | Phase Control Dual SCR, SCR/Diode Modules |
| 中文描述： | 相位控制雙可控硅，SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | MP02XXX190 |
MP02 XXX 190 Series
4/10
100
10
1.0
0.1
0.001
0.01
0.1
1.0
10
I
FGM
Gate trigger current I
GT
- (A)
Fig. 2 Gate trigger characteristics
G
G
T
j
= 125C
T
j
= 25C
T
j
Uppe imt99%
Lowe imt1%
V
FGM
V
GD
5W
10W
50W
75W100W
Pulse
Width
μs
20
25
100
500
1ms
10ms
50
100
100
100
100
100
10
100
100
100
100
100
50
-
400
100
100
100
25
-
-
Pulse Frequency Hz Table gives pulse power P
GM
in watts
0
1.0
2.0
3.0
4.0
Instantaneous on-state voltage V
T
- (V)
2500
2000
1500
1000
500
0
I
T
T
j
= 125C
CURVES
Fig. 1 Maximum (limit) on-state characteristics (thyristor or diode) - See Note 1
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PDF描述 |
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