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參數(shù)資料
| 型號： | MMUN2113LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | MMUN2113LT3 |
MMUN2111LT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2111LT1
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA =-25°C
25
°C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
20
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
1
0
40
60
80
1000
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
TA =75°C
-25
°C
100
10
75
°C
50
010
20
30
40
4
3
1
2
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0
TA =-25°C
25
°C
75
°C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
IC/IB =10
VCE = 10 V
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
10
100
10
20
30
40
50
TA =-25°C
25
°C
75
°C
VO = 0.2 V
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(MILLIW
A
TTS)
RqJA = 625°C/W
Figure 2. VCE(sat) versus IC
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMUN2216LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2241LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2212LT3G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2214LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2212LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMUN2113LT3G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2113RLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2114 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2114L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k |
| MMUN2114LT1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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