參數(shù)資料
型號(hào)： MMT08B064T3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 浪涌電流限制器
英文描述： Thyristor Surge Protectors
中文描述： 77 V, 32 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA
封裝： LEAD FREE, CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： MMT08B064T3G
MMT08B064T3
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Operating Temperature Range
Blocking or Conducting State
T
J1
40 to +125
°
C
Overload Junction Temperature Maximum Conducting State Only
T
J2
+175
°
C
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
T
L
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Devices are bidirectional. All electrical parameters apply to forward and reverse polarities.
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Breakover Voltage (Both polarities)
(dv/dt = 100 V/ s, I
SC
= 1.0 A, Vdc = 1000 V)
(+65
°
C)
V
(BO)
77
80
V
Breakover Voltage (Both polarities)
(f = 60 Hz, I
SC
= 1.0 A(rms), V
OC
= 1000 V(rms),
R
I
= 1.0 k , t = 0.5 cycle) (Note 3)
(+65
°
C)
V
(BO)
77
80
V
Breakover Voltage Temperature Coefficient
dV
(BO)
/dT
J
0.054
V/
°
C
Breakdown Voltage (I
(BR)
= 1.0 mA) Both polarities
V
(BR)
58
V
Off State Current (V
D1
= 50 V) Both polarities
Off State Current
(V
D2
= V
DM
) Both polarities
I
D1
I
D2
2.0
5.0
A
OnState Voltage (I
T
= 1.0 A)
(PW
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2%) (Note 3)
V
T
3.0
V
Breakover Current (f = 60 Hz, V
DM
= 1000 V(rms), R
S
= 1.0 k )
Both polarities
I
BO
91
mA
Holding Current (Both polarities)
V
S
= 500 V; I
T
(Initiating Current) =
(Note 3)
(+65
°
C)
1.0 A
I
H
150
130
mA
Critical Rate of Rise of OffState Voltage
(Linear waveform, V
D
= Rated V
BR
, T
J
= 25
°
C)
dv/dt
2000
V/ s
Capacitance (f = 1.0 MHz, 50 Vdc, 1.0 V rms Signal)
Capacitance
(f = 1.0 MHz, 2.0 Vdc, 1.0 V rms Signal)
C
O
67
130
pF
3. Measured under pulse conditions to reduce heating.
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PDF描述
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MMT08B350T3G Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
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