參數(shù)資料
型號： MMPQ2222R1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SO-16
文件頁數(shù)： 12/22頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： MMPQ2222R1
MMPQ2222 MMPQ2222A
2–429
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(1)
(IC = 100 mA, VCE = 10 V)
MMPQ2222A
(IC = 1.0 mA, VCE = 10 V)
MMPQ2222A
(IC = 10 mA, VCE = 10 V)
MMPQ2222
MMPQ2222A
(IC = 150 mA, VCE = 10 V)
MMPQ2222
MMPQ2222A
(IC = 300 mA, VCE = 10 V)
MMPQ2222
(IC = 500 mA, VCE = 10 V)
MMPQ2222A
(IC = 150 mA, VCE = 1.0 V)
MMPQ2222A
hFE
35
50
75
100
30
40
50
—
300
—
Collector – Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc)
MMPQ2222
MMPQ2222A
(IC = 300 mAdc, IB = 30 mAdc)
MMPQ2222
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
MMPQ2222A
VCE(sat)
—
0.4
0.3
1.6
1.0
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc)
MMPQ2222
MMPQ2222A
(IC = 300 mAdc, IB = 30 mAdc)
MMPQ2222
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
MMPQ2222A
VBE(sat)
—
1.3
1.2
2.6
2.0
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product(1)
(IC = 20 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
fT
200
350
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
—
4.5
—
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cib
—
17
—
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(VCC = 30 Vdc, VBE(off) = –0.5 Vdc, IC = 150 mAdc,
IB1 = 15 mAdc)
ton
—
25
—
ns
Turn–Off Time
(VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc, IB1 = IB2 = 15 mAdc)
toff
—
250
—
ns
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMPQ2222R2 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907 600 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907R2 600 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2907AR2 600 mA, 60 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMPQ2369 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMPQ2369R WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMPQ2369R2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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