參數(shù)資料
型號(hào)： MMG1001T1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module
中文描述： 砷化鎵有線電視綜合放大器模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： MMG1001T1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MMG1001R2 MMG1001T1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model
1 (minimum)
Machine Model
M1 (minimum)
Charge Device Model
C5 (minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics for 24 V Application
(V
CC
= 24 Vdc, T
C
= +30
°
C, 75
system unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Frequency Range
BW
40
—
870
MHz
Power Gain
50 MHz
870 MHz
G
p
—
—
18
19
—
—
dB
Slope
40- 870 MHz
S
—
0.6
—
dB
Gain Flatness (40 - 870 MHz, Peak to Valley)
G
F
—
0.5
—
dB
Input Return Loss (Z
o
= 75 Ohms)
f = 40-160 MHz
f = 161-450 MHz
f = 451-870 MHz
IRL
—
—
21
19
22
—
—
—
dB
Output Return Loss (Z
o
= 75 Ohms)
f = 40-400 MHz
f = 401-870 MHz
ORL
—
—
22
17
—
—
dB
Composite Second Order
(V
out
= +44 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +46 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +48 dBmV/ch., Worst Case)
132-Channel FLAT
112-Channel FLAT
79-Channel FLAT
CSO
132
CSO
112
CSO
79
—
—
—
-65
-65
-71
-58
-59
-62
dBc
Cross Modulation Distortion @ Ch 2
(V
out
= +44 dBmV/ch., FM = 55 MHz)
(V
out
= +46 dBmV/ch., FM = 55 MHz)
(V
out
= +48 dBmV/ch., FM = 55 MHz)
132-Channel FLAT
112-Channel FLAT
79-Channel FLAT
XMD
132
XMD
112
XMD
79
—
—
—
-64
-63
-62
-52
-52
-52
dBc
Composite Triple Beat
(V
out
= +44 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +46 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +48 dBmV/ch., Worst Case)
132-Channel FLAT
112-Channel FLAT
79-Channel FLAT
CTB
132
CTB
112
CTB
79
—
—
—
-63
-64
-65
-56
-56
-58
dBc
Noise Figure
50 MHz
870 MHz
NF
—
—
4
4
5.0
5.0
dB
DC Current (V
DC
= 24 V, T
C
= -20
°
to +100
°
C)
I
DC
230
250
265
mA
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMG2001T1 Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module
MMG2401NR2 Indium Gallium Phosphorus HBT - WLAN Power Amplifier
MMG3001NT1 Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3003NT1 Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Broadband High Linearity Amplifier
MMG3004NT1 Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMG15241HT1 功能描述:特殊用途放大器 24DBM GPA SOT89A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:Single 共模抑制比（最小值）: 輸入補(bǔ)償電壓: 工作電源電壓:3 V to 5.5 V 電源電流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 封裝:Reel
MMG2001R2 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:GALLIUM ARSENIDE CATV INTEGRATED AMPLIFIER MODULE
MMG2001T1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module
MMG20271H9T1 功能描述:射頻放大器 27 dBm P1dB GPA SOT-89A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MMG20271HT1 功能描述:射頻放大器 27dBm GaAs Amp QFN3X3-12 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*