參數(shù)資料
型號(hào)： MMG1001NT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module
中文描述： 砷化鎵有線電視綜合放大器模塊
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： MMG1001NT1
3-2
Freescale Semiconductor
RF Linear Amplifiers Device Data
MMG1001NT1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model
1 (minimum)
Machine Model
M1 (minimum)
Charge Device Model
C5 (minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics for 24 V Application
(V
CC
= 24 Vdc, T
C
= +30
°
C, 75
Ω
system unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Frequency Range
BW
40
—
870
MHz
Power Gain
50 MHz
870 MHz
G
p
—
—
18
19
—
—
dB
Slope
40 - 870 MHz
S
—
0.6
—
dB
Gain Flatness (40 - 870 MHz, Peak to Valley)
G
F
—
0.5
—
dB
Input Return Loss (Z
o
= 75 Ohms)
f = 40-160 MHz
f = 161-450 MHz
f = 451-870 MHz
IRL
—
—
21
19
22
—
—
—
dB
Output Return Loss (Z
o
= 75 Ohms)
f = 40-400 MHz
f = 401-870 MHz
ORL
—
—
22
17
—
—
dB
Composite Second Order
(V
out
= +44 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +46 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +48 dBmV/ch., Worst Case)
132-Channel FLAT
112-Channel FLAT
79-Channel FLAT
CSO
132
CSO
112
CSO
79
—
—
—
-65
-65
-71
-58
-59
-62
dBc
Cross Modulation Distortion @ Ch 2
(V
out
= +44 dBmV/ch., FM = 55 MHz)
(V
out
= +46 dBmV/ch., FM = 55 MHz)
(V
out
= +48 dBmV/ch., FM = 55 MHz)
132-Channel FLAT
112-Channel FLAT
79-Channel FLAT
XMD
132
XMD
112
XMD
79
—
—
—
-64
-63
-62
-52
-52
-52
dBc
Composite Triple Beat
(V
out
= +44 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +46 dBmV/ch., Worst Case)
(V
out
= +48 dBmV/ch., Worst Case)
132-Channel FLAT
112-Channel FLAT
79-Channel FLAT
CTB
132
CTB
112
CTB
79
—
—
—
-63
-64
-65
-56
-56
-58
dBc
Noise Figure
50 MHz
870 MHz
NF
—
—
4
4
5.0
5.0
dB
DC Current (V
DC
= 24 V, T
C
= -20
°
to +100
°
C)
I
DC
230
250
265
mA
(continued)
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