參數(shù)資料
型號: MMFT1N10E
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS
中文描述: 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
封裝: CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 236K
代理商: MMFT1N10E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 14. Capacitance Variation With Voltage
SAME
DEVICE TYPE
AS DUT
Vin
+18 V
VDD
10 V
100 k
0.1
μ
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
2N3904
47 k
15 V
100 k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH
100
μ
s, DUTY CYCLE
10%.
1 mA
47 k
Figure 15. Gate Charge versus Gate–To–Source Voltage
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
Crss
Ciss
Coss
1400
20
1200
1000
800
600
400
200
0
15
10
5
0
5
10
15
20
VGS
VDS
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
0
6
4
2
0
2
4
6
8
V
Ciss
Crss
TJ = 25
°
C
f = 1 MHz
10
TJ = 25
°
C
ID = 1 A
VGS = 10 V
VDS = 50 V
VDS = 80 V
Coss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT1N10 MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS
MMFT2N02EL SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
MMFT2N25E SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
MMFT5P03HDT3 TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
MMFT5P03HD 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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MMFT2406T1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 700MA SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件