參數(shù)資料
型號： MMDF3N02HD
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： DUAL TMOS POWER MOSFET 3.0 AMPERES 20 VOLTS
中文描述： 3.8 A, 20 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-05, SOIC-8
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： MMDF3N02HD
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
R
T
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
10
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to
θ
ja at 10s.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDF3N03HD DUAL TMOS POWER MOSFET 4.1 AMPERES 30 VOLTS
MMDF3N03HD Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDF3N03HDR2 Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDF4N01HD DUAL TMOS POWER MOSFET 4.0 AMPERES 20 VOLTS
MMDF6N02HD DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDF3N02HDR2 功能描述:MOSFET 20V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF3N02HDR2G 功能描述:MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF3N03HD 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDF3N03HDR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
MMDF3N04HD 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*