參數資料
型號： MMDF2P01HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 3.4 A, 12 V, 0.18 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數： 10/12頁
文件大小： 255K
代理商： MMDF2P01HDR2
MMDF2P01HD
http://onsemi.com
7
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
10
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.01
VGS = 8 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
10
0.1
dc
10 ms
1
100
Mounted on 2
″ sq. FR4 board (1″ sq. 2 oz. Cu 0.06″
thick single sided) with one die operating, 10s max.
1 ms
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
10
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to θja at 10s.
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