參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF2C02E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.5 AMPERES 25 VOLTS
中文描述： 2 A, 20 V, 0.2 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-05, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 325K
代理商： MMDF2C02E
4
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N–Channel
P–Channel
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation
with Temperature
Figure 3. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
R
3
4
5
10
0.3
0.4
0.6
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.2
6
8
0
0.1
9
7
0.5
ID = 1 A
TJ = 25
°
C
10 V
R
0.1
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.4
0.5
0.6
0.3
0.2
0
0.5
1
1.5
2
VGS = 4.5
TJ = 25
°
C
R
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
–50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 10 V
ID = 2 A
125
75
25
–25
R
0.4
0.5
0.6
0.3
0.1
0.2
0
2
3
4
5
8
6
7
9
10
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.15
0
1
2
5
6
0.05
0.1
3
4
10 V
VGS = 4.5
TJ = 25
°
C
R
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
–50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 10 V
ID = 3.5 A
125
75
25
–25
ID = 3.5 A
TJ = 25
°
C
7
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