參數(shù)資料
型號(hào)： MMBZ5257C-V
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 33 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： MMBZ5257C-V
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Document Number 85772
Rev. 1.5, 23-Feb-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
18078
12
3
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Small Signal Zener Diodes
Features
Silicon planar power zener diodes.
Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %
with a "B" suffix (e.g.: MMBZ5225B-V),
suffix “C” is ± 2 % tolerance.
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/ 4x 10 s at terminals.
These diodes are also available in MiniMELF case
with the type designation ZMM5225...ZMM5267,
SOD-123
case
with
the
type
designation
MMSZ5225-V... MMSZ5267-V.
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case: SOT-23
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
GS18/10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08/3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Notes
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
2) On alumina substrate
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Note
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Zener current
(see table "Characteristics")
Power dissipation
TA = 25 °C
Ptot
225 1)
mW
Ptot
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air
RthJA
556 1)
°C/W
Maximum junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
TS
- 65 to + 175
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ5258C-V-GS08 36 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5260B-V-GS18 43 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5260B-V 43 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5260C-V-GS08 43 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5261B-V-GS08 47 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBZ5257C-V-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5257ELT1 功能描述:DIODE ZENER 33V 225MW SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標(biāo)稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
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MMBZ5258B-7 功能描述:穩(wěn)壓二極管 36V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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