參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10
廠商： Diodes Inc.
元件分類(lèi)： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125
中文描述： npn型表面貼裝甚高頻/超高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBTH10
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
Current
R1
R2
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
resistance
resistance
MHz
(mA)
(V)
(mA)
(
)
(
)
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DTC143EUS3
DTC143TUS3
DTC143XUS3
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DTC143ZUS3
DTC144EUS3
DTC144TUS3
DTC144VUS3
DTC144WUS3
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DTD114EUS3
DTD143EUS3
SOT-363
(P.29)
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50
100
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-
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5
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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50
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-
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5
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4.7K
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200
100
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5
1.8
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50
100
200
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-
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5
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10K
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50
100
200
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-
10
5
1.8
4.7K
22K
250
NPN
50
50
100
200
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-
10
5
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-
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47K
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1
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NONE
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-50
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-5
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-5
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-50
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-5
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BC143ZS6R
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BC144ES6R
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-5
-5
-0.36
22K
22K
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-50
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-5
-5
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10K
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P*2
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-50
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4.7K
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Daul
BC143TUS6R
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50
100
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100
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1.8
4.7K
NONE
250
Daul
BC143XUS6R
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50
100
150
30
-
10
5
1.8
4.7K
10K
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BC143ZUS6R
N*2
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50
100
150
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-
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1.8
4.7K
47K
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Daul
BC144EUS6R
N*2
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100
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5
0.18
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10K
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-50
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-
-5
-5
-0.88
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100
150
56
-
5
5
0.36
22K
22K
250
-50
-50
-100
150
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
Min
Max
SOT-523
(P.28)
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
INPUT
hFE
BCA124EUS6R
N+P
N+P
SOT-563
(P.29)
BCA114EUS6R
N+P
N+P
BCA124ES6R
N+P
N+P
N+P
BCA114ES6R
N+P
P.18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH10-7 NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBT5089 Inductor RoHS Compliant: Yes
MMBT6429 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125
MMBT4125 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT5088 NPN (LOW NOISE TRANSISTOR)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTH10 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR SOT-23
MMBTH10_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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