參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10
廠商： Diodes Inc.
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125
中文描述： npn型表面貼裝甚高頻/超高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 14/15頁(yè)
文件大小： 500K
代理商： MMBTH10
PBL
-
+
A
B
C
E
G
H
D
PBU
-
~
~
+
B
C
D
H
M
N
P
A
E
L
K
J
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
18.50
Max
19.50
15.40
16.40
6.50
19.00
6.20
4.60
5.60
1.50
2.00
1.30 Typical
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Min
22.70
Max
23.70
3.80
4.10
4.20
4.70
1.70
2.20
10.30
11.30
4.50
6.80
4.80
5.80
19.30
25.40
16.80
17.80
6.60
7.10
4.70
5.20
1.20
1.30
KBJ
A
B
D
J
K
C
E
H
L
M
N
P
R
C
E
H
J
K
L
M
N
P
+
A
B
D
KBP
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
14.25
Max
14.75
10.20
10.60
2.29 Typical
14.25
14.73
3.56
0.86
0.76
0.86
1.17
2.8 X 45
°
Chamfer
0.80
1.42
J
K
L
M
N
P
1.10
3.35
3
°
Nominal
2
°
Nominal
0.30
3.65
0.64
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
24.80
Max
25.20
14.70
15.30
4.00 Nominal
17.20
17.80
0.90
1.10
7.30
3.10
3.40
3.30
7.70
3.70
1.50
1.90
9.30
9.70
2.50
2.90
3.40
3.80
4.40
4.80
0.60
0.80
Dim
A
B
C
D
E
G
H
I
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
29.70
Max
30.30
19.70
20.30
17.00
18.00
3.80
4.20
7.30
7.70
7.30 7.70
2.00
2.40
0.90
1.10
2.30
3.0 X 45
°
4.40
2.70
4.80
3.40
3.80
3.10
3.40
2.50
2.90
0.60
0.80
10.80
11.20
GBJ
_
B
C
D
E
E
G
H
K
J
I
L
M
N
P
R
S
A
GBU
-
~
~
+
A
B
K
D
E
F
G
H
J
M
N
P
L
C
GBU
Min
21.8
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Max
22.3
3.5
4.1
7.4
7.9
1.65
2.16
2.25
2.75
1.02
1.27
4.83
5.33
17.5
3.2 X 45
°
18.3
18.0
18.8
3.30
3.56
0.46
0.56
0.76
1.0
P.33
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH10-7 NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBT5089 Inductor RoHS Compliant: Yes
MMBT6429 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125
MMBT4125 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT5088 NPN (LOW NOISE TRANSISTOR)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTH10 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR SOT-23
MMBTH10_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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