型號(hào): | MMBTA56LT1 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Driver Transistors PNP Silicon(PNP型驅(qū)動(dòng)器晶體管) |
中文描述: | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封裝: | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 64K |
代理商: | MMBTA56LT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MMBV109LT1G | Silicon Epicap Diodes |
MMBV109LT3 | Silicon Epicap Diodes |
MMBV109LT3G | Silicon Epicap Diodes |
MMBV109LT1 | Silicon Epicap Diodes(固態(tài)調(diào)諧二極管) |
MMBV2108LT1 | Silicon Tuning Diodes(固態(tài)調(diào)諧二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MMBTA56LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBTA56LT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR PNP 80V SOT-23 |
MMBTA56LT1T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
MMBTA56LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBTA56LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |