參數(shù)資料
型號： MMBTA20LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Amplifier(NPN Silicon)
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 413K
代理商： MMBTA20LT1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
Figure 3. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
2.0
10
20
50
100
200
500
1 k
2 k
5 k
10 k
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS = 0
IC = 1.0 mA
100
μ
A
e
I
30
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS
≈ ∞
10
μ
A
300
μ
A
IC = 1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50
100
200
500
1 k
2 k
5 k
10 k
NOISE FIGURE CONTOURS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
Figure 5. Narrow Band, 100 Hz
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
500 k
200 k
Figure 6. Narrow Band, 1.0 kHz
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
2.0 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
R
Figure 7. Wideband
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
Noise Figure is defined as:
NF
20 log10
en2
4KTRS
4KTRS
In2RS2
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10–23 j/
°
K)
= Temperature of the Source Resistance (
°
K)
= Source Resistance (Ohms)
en
In
K
T
RS
3.0 dB
4.0 dB
6.0 dB
10 dB
50
100
200
500
1 k
10 k
5 k
20 k
50 k
100 k
2 k
20
30
50 70
100
200 300
500 700
1 k
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700
1 k
500 k
100
200
500
1 k
10 k
5 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2 k
1 M
500 k
200 k
50
100
200
500
1 k
10 k
5 k
20 k
50 k
100 k
2 k
20
30
50
70
100
200 300
500 700
1 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
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PDF描述
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MMBTA28 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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