參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA20LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Amplifier (NPN Silicon)
中文描述： 通用放大器（NPN硅）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 413K
代理商： MMBTA20LT1
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VEBO
IC
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RJA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBTA20LT1 = 1C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
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by MMBTA20LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
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PDF描述
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