參數(shù)資料
型號： MMBTA20
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (GENERAL POUPOSE TRANSISTOR)
中文描述： npn型（一般POUPOSE晶體管）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 413K
代理商： MMBTA20
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
Figure 13. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
Figure 14. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
30
50
1000
700
Figure 15. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
1.0
500
0.5
10
t
t
f
T
h
o
h
)
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
7.0
70
100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td @ VBE(off) = 0.5 Vdc
tr
10
20
30
50
70
100
200
300
500
2.0
5.0
10
20
30
50
3.0
1.0
7.0
70 100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
ts
tf
50
70
100
200
300
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
TJ = 25
°
C
f = 100 MHz
VCE = 20 V
5.0 V
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0.05
TJ = 25
°
C
f = 1.0 MHz
Cib
Cob
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.2
100
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
0.1
0.2
0.5
MPS3904
hfe
≈
200 @ IC = 1.0 mA
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
0.1
0.2
0.5
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
MPS3904
hfe
≈
200 @ IC = 1.0 mA
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