參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA14LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達(dá)林頓放大器晶體管)
中文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： MMBTA14LT1
MMBTA13LT1, MMBTA14LT1
http://onsemi.com
4
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT ( A)
2.0
200k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
J
= 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
C
ibo
C
obo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
V
CE
= 5.0 V
f = 100 MHz
T
J
= 25
°
C
100k
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
7.0
10
20
30
50 70
100
200
300
500
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50 70 100 200 300
500
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
R
θ
°
T
J
= 25
°
C
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*R
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56LT1 Driver Transistors PNP Silicon(PNP型驅(qū)動(dòng)器晶體管)
MMBV109LT1G Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT3 Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT3G Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT1 Silicon Epicap Diodes(固態(tài)調(diào)諧二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA14LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23
MMBTA14LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-23
MMBTA14-T 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14-TP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*