參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA14LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達(dá)林頓放大器晶體管)
中文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： MMBTA14LT1
MMBTA13LT1, MMBTA14LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, V
BE
= 0)
V
(BR)CES
30
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
DC Current Gain
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
MMBTA13
MMBTA14
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
MMBTA13
MMBTA14
h
FE
5000
10,000
10,000
20,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0.1 mAdc)
V
CE(sat)
1.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 4)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
3. Pulse Test: Pulse Width
4. f
T
= |h
fe
|
f
test
.
f
T
125
MHz
300 s, Duty Cycle
2.0%.
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56LT1 Driver Transistors PNP Silicon(PNP型驅(qū)動(dòng)器晶體管)
MMBV109LT1G Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT3 Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT3G Silicon Epicap Diodes
MMBV109LT1 Silicon Epicap Diodes(固態(tài)調(diào)諧二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA14LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23
MMBTA14LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-23
MMBTA14-T 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14-TP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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