參數(shù)資料
型號： MMBTA13LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Amplifier Transistors
中文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 82K
代理商： MMBTA13LT1G
MMBTA13LT1, MMBTA14LT1
http://onsemi.com
5
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.7
0.5
r
2.0
5.0
1.0
0.5
0.2
0.1
R
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
20
50
10
200
500
100
1.0k
2.0k
5.0k
10k
Figure 13. Active Region Safe Operating Area
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0k
700
500
0.4
300
200
100
70
50
30
20
10
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
10
20
40
I
T
A
= 25
°
C
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
Z
JC(t)
= r(t)
R
JC
T
Z
JA(t)
= r(t)
R
JA
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
Z
JC(t)
J(pk)
T
A
= P
(pk)
Z
JA(t)
1.0 ms
100 s
T
C
= 25
°
C
1.0 s
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
DUTYCYCLE
t1f
t1
tP
PEAK PULSE POWER = P
P
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PDF描述
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MMBTA13-T 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA13-TP 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor
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