參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT918LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor NPN Silicon
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 56K
代理商： MMBT918LT1G
MMBT918LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 3.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
15
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
30
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
3.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 15 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 3.0 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
20
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.4
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
V
BE(sat)
1.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 4.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
600
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
3.0
1.7
pF
Input Capacitance
(V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
C
ibo
2.0
pF
Noise Figure
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 6.0 Vdc, R
S
= 50 , f = 60 MHz) (Figure 1)
NF
6.0
dB
Power Output
(I
C
= 8.0 mAdc, V
CB
= 15 Vdc, f = 500 MHz)
P
out
30
mW
CommonEmitter Amplifier Power Gain
(I
C
= 6.0 mAdc, V
CB
= 12 Vdc, f = 200 MHz)
G
pe
11
dB
Figure 1. NF, G
pe
Measurement Circuit 20200
V
BB
V
CC
EXTERNAL
100 k
0.018 F
0.018 F
3
1000 pF BYPASS
0.018 F
0.018 F
50
RF
VM
NF TEST CONDITIONS
I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 6.0 VOLTS
R
S
= 50
f = 60 MHz
C
G
G
pe
TEST CONDITIONS
I
C
= 6.0 mA
V
CE
= 12 VOLTS
f = 200 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT1 NPN transistor
MMBTA13LT1G Darlington Amplifier Transistors
MMBTA14LT1G Darlington Amplifier Transistors
MMBTA14LT1 Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達(dá)林頓放大器晶體管)
MMBTA56LT1 Driver Transistors PNP Silicon(PNP型驅(qū)動(dòng)器晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 56 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 92 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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