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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT6520LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | MMBT6520LT1 |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
tP
PP
PP
t1
1/f
DUTY CYCLE
t1f
t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6520 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT6520 | 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-TSSOP -40 to 125 |
| MMBT6520 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT6520LT1 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT9018 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6520LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6521LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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