參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT6472LT1
廠商： 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： Darlington Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 達(dá)林頓晶體管（NPN硅）
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 203K
代理商： MMBT6472LT1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M21–4/5
T
J
= 25°C
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance
C
|
f
|
h
F
,
V
C
,
V
R
θ
V
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 10. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. High Frequency Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
I
B
, BASE CURRENT (
μ
A)
Figure 9. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
C
ibo
C
obo
V
CE
= 5.0 V
f = 100 MHz
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25°C
–55°C
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25°C
I
C
= 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
T
J
= 25°C
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
25°C TO 125°C
–55°C TO 25°C
*R
θ
VC
FOR V
CE(sat)
θ
VB
FOR V
BE
25°C TO 125°C
–55°C TO 25°C
*APPLIES FOR I
C
/ I
B
<
h
FE
/3.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
–1.0
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–6.0
MMBT6427LT1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA42E TRANSISTOR
MMBTA517 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
MMBTA64 Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose Darlington Transistor)(外延平面PNP晶體管(通用達(dá)林頓晶體管))
MMBTA92E TRANSISTOR
MMBTH24 NPN (VHF MIXER TRANSISTOR)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MMBT Series 350 V 100 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*