參數(shù)資料
型號： MMBT6472LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Darlington Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 達(dá)林頓晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： MMBT6472LT1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M21–2/5
MMBT6427LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 5.0Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0.5 mAdc)
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 0.5 mAdc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 0.5 mAdc)
Base–Emitter On Voltage
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 5.0Vdc)
Symbol
Min
Max
Unit
h
FE
––
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
V
CE(sat)
(3)
Vdc
––
––
1.2
1.5
V
BE(sat)
––
2.0
Vdc
V
BE(on)
—
1.75
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance
(V
EB
=0.5 Vdc, I
C
= 0 , f = 1.0 MHz)
Current Gain–High Frequency
(V
CE
= 5.0 Vdc, I
C
= 10mAdc, f = 100 MHz)
Noise Finure
(V
CE
=5.0 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc , R
S
=100 k
,
f = 1.0 kHz )
3.
Pulse Tent:
Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle = 2.0%
C
obo
––
7.0
pF
C
ibo
––
15
pF
|h
fe
|
1.3
—
Vdc
NF
—
10
dB
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述
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MMBTA517 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
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參數(shù)描述
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MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MMBT Series 350 V 100 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23
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