參數(shù)資料
型號: MMBT6427LT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Darlington Transistor(NPN Silicon)
中文描述: 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 249K
代理商: MMBT6427LT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 12. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.7
0.5
r
2.0
5.0
1.0
0.5
0.2
0.1
R
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
20
50
10
200
500
100
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
Z
θ
JC(t) = r(t)
R
θ
JC
Z
θ
JA(t) = r(t)
R
θ
JA
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θ
JA(t)
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
tP
PP
PP
t1
1/f
DUTY CYCLE
t1f
t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT6427 NPN Darlington Transistor
MMBT6520LT1 High Voltage Transistor
MMBT6520 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT6520 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-TSSOP -40 to 125
MMBT6520 High Voltage Transistor(PNP Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT6427LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBT6427LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT6427LT3 功能描述:TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MMBT6427LT3G 功能描述:TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MMBT6428 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2