參數資料
型號： MMBT6427
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Darlington Transistor
中文描述： 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SO-3
文件頁數： 1/8頁
文件大?。?/td> 249K
代理商： MMBT6427
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
40
Vdc
Collector–Base Voltage
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
12
Vdc
Collector Current — Continuous
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBT6427LT1 = 1V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
40
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ICES
—
1.0
μ
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
IEBO
—
50
nAdc
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MMBT6427LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR 3
BASE
1
EMITTER 2
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參數描述
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