參數資料
型號： MMBT6427
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125
中文描述： 迷你型離散半導體元件
文件頁數： 4/8頁
文件大?。?/td> 249K
代理商： MMBT6427
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (
μ
A)
2.0
200 k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25
°
C
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
–1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50
70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
θ
°
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–6.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
200
300
500
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*RVC FOR VCE(sat)
VB FOR VBE
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3.0
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PDF描述
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參數描述
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MMBT6427LT1 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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