參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT6427
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (DARLINGTON TRANSISTOR)
中文描述： npn型（達(dá)林頓晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： MMBT6427
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
Figure 2. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
50
100
200
500
20
Figure 3. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 4. Total Wideband Noise Voltage
RS, SOURCE RESISTANCE (k
)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (k
)
5.0
50
70
100
200
30
10
20
1.0
10
10
20
50
100 200
500
1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS
≈
0
IC = 1.0 mA
100
μ
A
10
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 1.0 mA
100
μ
A
10
μ
A
e
i
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
100
0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
IC = 10
μ
A
100
μ
A
1.0 mA
8.0
10
12
14
6.0
0
4.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
100
0
2.0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10
μ
A
100
μ
A
IC = 1.0 mA
V
N
10
20
50
100 200
500
1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
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PDF描述
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MMBT6427LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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