參數(shù)資料
型號： MMBT6427-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 249K
代理商： MMBT6427-7
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (
μ
A)
2.0
200 k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25
°
C
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
–1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50
70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
θ
°
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–6.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
200
300
500
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*RVC FOR VCE(sat)
VB FOR VBE
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3.0
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PDF描述
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