參數(shù)資料
型號： MMBT5550
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： High Voltage FET-Input Operational Amplifier 8-SO PowerPAD
中文描述： npn型（高壓晶體管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 199K
代理商： MMBT5550
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
70
50
1.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
Cibo
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
0.7
3.0
7.0
Cobo
10.2 V
Vin
10
μ
s
INPUT PULSE
VBB
–8.8 V
100
RB
5.1 k
100
0.25
μ
F
Vin
1N914
Vout
RC
VCC
30 V
3.0 k
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
TJ = 25
°
C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Turn–On Time
1000
0.3
1.0
10
20 30
50
0.5
0.2
t
10
20
30
50
100
200
300
500
2.0
100
200
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
tr @ VCC = 120 V
3.0
5.0
tr @ VCC = 30 V
td @ VEB(off) = 1.0 V
VCC = 120 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
t
50
100
200
300
500
3000
2000
1000
0.3
1.0
10
20 30
50
0.5
0.2
2.0
100
200
3.0 5.0
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
tf @ VCC = 120 V
tf @ VCC = 30 V
ts @ VCC = 120 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 5. Temperature Coefficients
2.5
2.0
VC for VCE(sat)
VB for VBE(sat)
TJ = –55
°
C to +135
°
C
θ
°
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
3.0
30
0.3
Figure 6. Switching Time Test Circuit
Figure 7. Capacitances
Figure 9. Turn–Off Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5550 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT5550LT1G High Voltage Transistors
MMBT5550 NPN General Purpose Amplifier
MMBT5550LT1 High Voltage Transistors(NPN Silicon)
MMBT5550 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
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參數(shù)描述
MMBT5550 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5550LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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