參數資料
型號： MMBT5550
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： High Voltage FET-Input Operational Amplifier 8-SO PowerPAD
中文描述： npn型（高壓晶體管）
文件頁數： 2/6頁
文件大小： 199K
代理商： MMBT5550
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
hFE
60
80
60
80
20
30
—
—
250
250
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VCE(sat)
—
—
—
0.15
0.25
0.20
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VBE(sat)
—
—
—
1.0
1.2
1.0
Vdc
相關PDF資料
PDF描述
MMBT5550 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT5550LT1G High Voltage Transistors
MMBT5550 NPN General Purpose Amplifier
MMBT5550LT1 High Voltage Transistors(NPN Silicon)
MMBT5550 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBT5550LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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