型號: | MMBT5401LT3G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
中文描述: | 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
封裝: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大小: | 189K |
代理商: | MMBT5401LT3G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT5401LT1G | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
MMBT5401LT1 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
MMBT5401 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
MMBT5401 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON |
MMBT5550LT1 | High Voltage Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT5401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT5401-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT5401WT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MMBT5401WT1G - Tape and Reel |
MMBT5550 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT5550 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |