參數(shù)資料
型號： MMBT5401LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Voltage Transistor(PNP Silicon)
中文描述： 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： MMBT5401LT3
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 4. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.7
1.0
0.9
0.2
Figure 5. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0
TJ = 25
°
C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
2.5
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
C
100
70
TJ = 25
°
C
Cibo
Figure 6. Switching Time Test Circuit
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.8
0.5
0.3
0.1
VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.3
3.0
30
V
θ
°
Figure 7. Capacitances
10.2 V
Vin
10
μ
s
INPUT PULSE
VBB
+8.8 V
100
RB
5.1 k
100
0.25
μ
F
Vin
1N914
Vout
RC
VCC
–30 V
3.0 k
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.3
3.0
30
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
TJ = –55
°
C to 135
°
C
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE(sat)
Cobo
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
0.7
7.0
t
1000
700
100
70
200
300
500
10
20
30
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
30
50
100
200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Turn–On Time
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td @ VBE(off) = 1.0 V
VCC = 120 V
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 120 V
t
2000
100
70
200
300
500
700
20
30
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
30
50
100
200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Turn–Off Time
1000
tf @ VCC = 120 V
tf @ VCC = 30 V
ts @ VCC = 120 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
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PDF描述
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MMBT5401LT1G High Voltage Transistor(PNP Silicon)
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MMBT5401 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON
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參數(shù)描述
MMBT5401LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401WT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MMBT5401WT1G - Tape and Reel
MMBT5550 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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