參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5089
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Inductor RoHS Compliant: Yes
中文描述： npn型（低噪聲晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT5089
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
IC
IB
MHz
(mA)
(V)
(V)
(mA)
(mA)
J10387
J1109
J112
J117
J122
J127
J13003
J1538
J1609
J200
J210
J2584
J2955
J3055
J31C
J32C
J340
J350
J3669
J3953
J41C
J42C
J44H11
J45H11
J47
J50
J649A
J6668
J667A
J669A
J6718
J772
J882
RF transistors
NPN
80
80
10
20
2K
20K
5
3
2
5
10
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
PNP
-160
-160
-0.1
#1.25
60
320
-0.01
-5
-2
-0.03
-3
NPN
100
100
4
20
1K
12K
2
3
2.5
2
8
PNP
-100
-100
-4
20
1K
12K
-2
-3
-2
-2
-8
NPN
100
100
5
20
1K
12K
4
4
2
4
16
PNP
-100
-100
-5
20
1K
12K
-4
-4
-2
-4
-16
NPN
700
400
1.5
15
8
40
0.5
2
1
1
250
PNP
-120
-120
-0.2
#1.3
60
320
-0.01
-10
-1
-0.03
-3
NPN
160
160
0.1
#1.25
60
320
0.01
5
2
0.03
3
NPN
40
25
5
10
45
180
2
1
0.75
2
200
PNP
-40
-25
-5
12.5
45
180
-2
-1
-0.75
-2
-200
PNP
-35
-35
-10
20
2K
60K
-0.5
-1.7
-1.5
-10
-10
PNP
-70
-60
-10
20
20
100
-4
-4
-1.1
-4
-400
NPN
70
60
10
20
20
100
4
4
1.1
4
400
NPN
100
100
3
15
10
50
3
4
1.2
3
375
PNP
-100
-100
-3
15
10
50
-3
-4
-1.2
-3
-375
NPN
300
300
0.5
15
30
240
0.05
10
-
-
-
PNP
-300
-300
-0.5
15
30
240
-0.05
-10
-
-
-
NPN
80
80
2
#1.25
300
-
0.5
2
0.5
1
50
NPN
120
120
0.2
#1.3
60
320
0.01
10
1
0.03
3
NPN
100
100
6
20
15
75
3
4
1.5
6
600
PNP
-100
-100
-6
20
15
75
-3
-4
-1.5
-6
-600
NPN
80
80
8
20
60
-
2
1
1
8
400
PNP
-80
-80
-10
20
60
-
-2
-1
-1
-8
-800
NPN
350
250
1
20
30
150
0.3
10
1
1
200
NPN
500
400
1
15
30
150
0.3
10
1
1
200
PNP
-180
-160
-1.5
20
60
200
-0.15
-5
1
-0.5
-50
PNP
-80
-80
-10
20
1K
20K
-5
-3
-2
-5
-10
PNP
-120
-100
-1
20
60
200
-0.15
-5
-1
-0.5
-50
NPN
180
160
1.5
#1
60
200
0.15
5
1
0.5
50
NPN
100
100
1
20
50
250
0.25
1
0.35
0.35
35
PNP
-40
-30
-3
20
100
500
-1
-2
-0.5
-2
-200
NPN
40
30
3
10
160
400
1
2
0.5
2
200
GTRFG761
GTRFG843
GTRFG2105
GTRFG2105
GTRFG0105
GTRFG0116
Silicon
GTRFS355
GTRFS536
GTRFS356
GTRFS585
GTRFS191
GTRFS226
GTRFS571
GTRFS228
GTRFS193
GTRFS004
GTRFS006
GTRFS008
GTRFS195
GTRFS431
GTRFS432
GTRFS434
GTRFS437
GTRFS614
GTRFS801
GTRFS192
GTRFS975
GTRFS194
High-Freq low-noise amplification
High-Freq low-noise amplification
SOT-143 (3K/reel) (P.30)
SOT-343 (3K/reel) (P.30)
9
100
4.5
3.5dB
9
30
12
11dB
High-Freq low-noise amplification
SOT-143 (3K/reel) (P.30)
9
9
100
100
4.5
3.5dB
4.5
3.5dB
High-Freq low-noise amplification
High-Freq low-noise amplification
High-Freq low-noise amplification
MiniSOT-523 (3K/reel)
SOT-723 ( 10K/reel) (P.28)
SOT-723 ( 10K/reel) (P.28)
20
100
4.5
10dB
9
100
4.5
3.5dB
VHF , UHF band
MiniSOT-523 (3K/reel)
20
20
100
35
8
7.5dB
4.5
10dB
High-Freq low-noise amplification
UHF high-Freq
High-Freq low-noise amplification
SOT-523 (3K/reel) (P.28)
MiniSOT-523 (3K/reel)
MiniSOT-523 (3K/reel)
20
60
4.3
5dB
9
100
4.5
3.5dB
High-Freq low-noise amplification
High-Freq low-noise amplification
Microwave
VHF , UHF band
TO-92 (P.31)
SOT-89 (1K/reel) (P.32)
SOT-23 (3K/reel) (P.28)
22.5dB
22.5dB
17dB
17dB
20
30
20
20
100
250
100
35
6.5
5.3
7
9.5dB
7.2dB
11.5dB
10dB
W-CDMA, 2.4GHz Wireless LAN, SiGeHBT
SOT-763 (3K/reel) (P.29)
13
100
10
10
SOT-23 (3K/reel) (P.28)
SOT-23 (3K/reel) (P.28)
25
17
17
20
20
20
9
20
20
100
60
35
100
60
100
35
4.5
5
8
9
100
9dB
5dB
7.5dB
3.5dB
VHF , UHF band
UHF high-Freq
VHF , UHF band
High-Freq low-noise amplification
SOT-323 (3K/reel) (P.28)
SOT-323 (3K/reel) (P.28)
SOT-323 (3K/reel) (P.28)
SOT-323 (3K/reel) (P.28)
SOT-523 (3K/reel) (P.28)
SOT-523 (3K/reel) (P.28)
SOT-523 (3K/reel) (P.28)
2.4GHz Wireless LAN, ITS, LNA, SiGeHBT
W-CDMA, 2.4GHz Wireless LAN, SiGeHBT
SOT-763 (3K/reel) (P.29)
SOT-343 (3K/reel) (P.30)
Microwave
3.5dB
25
2.4GHz Wireless LAN, ITS, LNA, SiGeHBT
100
4.5
5
4.5
13
SiGe
Mobile Comm., VCO, SiGeHBT
SOT-763 (3K/reel) (P.29)
SOT-343 (3K/reel) (P.30)
8
35
35
35
60
20dB
20dB
Application
W-CDMA, LNA, SiGeHBT
SOT-343 (3K/reel) (P.30)
Performances
stable power
gain (type)
9dB
7.5dB
Frequency
(GHz)
8
35
60
5dB
8
UHF high-Freq
VHF , UHF band
VHF , UHF band
13
13
Part Number
Voltage
VCBO (V)
Current
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
hFE
VCE(sat)
Max
T0-252
(P.30)
Min
Ic (mA)
20
P.16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT6429 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125
MMBT4125 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT5088 NPN (LOW NOISE TRANSISTOR)
MMBT8050 mini size of discrete semiconductor elements
MMBT8099 RP12 (AW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 48V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Regulated Output Power; 1.6kVDC Isolation; Over Current and Over Voltage Protection; Five-Sided Shield; No Derating to 61??C; Standard DIP24 Pinning; Efficiency to 88%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5089LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5179 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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