參數(shù)資料
型號： MMBT5089
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Inductor RoHS Compliant: Yes
中文描述： npn型（低噪聲晶體管）
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBT5089
SMA, SMB, SMC
B
SMA
SMB
SMC
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
Min
Max
Min
Max
Min
Max
2.29
2.92
3.30
3.94
5.59
6.22
4.00
4.60
4.06
4.57
6.60
7.11
1.27
1.63
1.96
2.21
2.75
3.18
0.15
0.31
0.15
0.31
0.15
0.31
4.80
5.59
5.00
5.59
7.75
8.13
0.10
0.20
0.10
0.20
0.10
0.20
0.76
1.52
0.76
1.52
0.76
1.52
2.01
2.62
2.00
2.62
2.00
2.62
A
C
D
G
H
E
J
A B
C
D E
G
H
J
L
K
DF-S / MBS(MDI)
E
H
L
K
A
D
C
G
B
J
DF-M
DF-S
MBS (MDI) DF-M
Min
Max
Dim
Min
Max
Min
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
7.40
7.90
5.43 5.75
7.40
7.90
6.20
6.50
3.6
4.0
6.20
6.50
0.22
0.30
0.15
0.35
0.22
0.30
0.076
1.02
0.33
0.05
0.70
0.20
1.27
2.03
10.40
7.0
7.60
8.90
1.53
1.10
3.81
4.69
8.13
8.51
4.5
4.9
8.13
8.51
2.40
3.40
2.8
2.9
2.40
3.40
5.00
5.20
2.5
2.7
5.00
5.20
1.00
1.20
0.50
0.80
0.46
0.58
A
M
J
L
D
B C
H
K
G
F
TOP VIEW
SOT-363/353
Min
Dim
Max
A
B
C
D
F
H
J
K
L
M
0.10
0.30
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65 Nominal
0.30
0.40
1.80
2.20
0.10
0.90
1.00
0.25
0.40
0.10
0.25
0°
8°
SOT-26/SOT-25
SOT-26/25
Min
Dim
Max
Typ
A
B
C
D
F
H
J
K
L
M
0.35
0.50
0.38
1.50
1.70
1.60
2.70
3.00
2.80
0.95
0.55
2.90
3.10
3.00
0.013 0.10
0.05
1.00
1.30
1.10
0.35
0.55
0.40
0.10
0.20
0.15
0°
8°
SOT-563
Min
Dim
Max
Typ
A
B
C
D
G
H
K
L
M
0.15
0.30
0.25
1.10
1.25
1.20
1.55
1.70
1.60
0.50
0.90
1.10
1.00
1.50
1.70
1.60
0.56
0.60
0.60
0.15
0.25
0.20
0.10
0.18
0.11
All Dimensions in mm
SOT-763 / SOT-563 / SOT-363 / SOT-353
HE
K
D
B1
e
e1
Dimensions In Millimeters
Min.
Nom.
1.50
1.65
Symbol
Max.
1.80
A
(Thin)
A1
B
B1
c
D
E
e
e1
0.02
0.60
2.90
0.28
6.30
3.30
0.05
0.70
-
0.30
6.50
3.50
2.3 Basic
4.6 Basic
0.08
0.80
3.15(Ref.)
0.32
6.70
3.70
-
0.124(Ref.)
H
L
K
α
β
6.70
0.91
1.50
0°
-
7.00
1.00
1.75
5
o
13
o
7.30
1.10
2.00
10°
-
SOT-223
P.29
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MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5179 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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