參數(shù)資料
型號： MMBT4401
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors(NPN)(小信號晶體管（NPN）)
中文描述： 小信號晶體管（NPN）的（小信號晶體管（NPN）的）
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 117K
代理商： MMBT4401
MMBT4401
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Small Signal Current Gain
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
fe
40
500
D
Output Admittance
at V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
oe
1.0
30
m
S
Delay Time (see Fig. 1)
at I
B1
= 15 mA, I
C
= 150 mA
V
CC
= 30 V, V
BE
= 40 V
t
d
D
15
ns
Rise Time (see Fig. 1)
at I
B1
= 15 mA, I
C
= 150 mA
V
CC
= 30 V, V
BE
= 40 V
t
r
D
20
ns
Storage Time (see Fig. 2)
at I
B1
= I
B2
= 15 mA, I
C
= 150 mA
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA
t
s
D
225
ns
Fall Time (see Fig. 2)
at I
B1
= I
B2
= 15 mA, I
C
= 150 mA
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA
t
f
D
30
ns
200
W
+30V
-4 V
< 2 ns
0
C * < 10 pF
C *
200
W
1.0 to 100
m
s, DUTY CYCLE
2%
1.0 to 100
m
s, DUTY CYCLE
2%
+30V
+16 V
-2 V
1k
W
1k
W
Scope rise time < 4ns
*Total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
< 20 ns
0
+16 V
-14 V
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
FIGURE 1 - TURN-ON TIME
FIGURE 2 - TURN-OFF TIME
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT4401_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4401-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23 10K - Tape and Reel
MMBT4401-13-02-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23 3K - Tape and Reel
MMBT4401-13-03-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23 3K - Tape and Reel
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