參數(shù)資料
型號: MMBT2484LT1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Low Noise Transistor
中文描述: 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 291K
代理商: MMBT2484LT1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h
0.05
2.0
3.0
10
0.02
0.03
0.2
1.0
0.1
5.0
F
VCE = 5.0 V
TA = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
0.7
0.5
0.5
0.2
0.3
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
Figure 9. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 10. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.01
0
–0.8
–1.2
–1.6
–2.4
TJ = 25
°
C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
TJ = 25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
R
θ
T
°
–0.4
–2.0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
f
C
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
TJ = 25
°
C
Ccb
Cob
Ceb
Cib
1.0
2.0
5.0
3.0
7.0
10
20
30
50
70
100
500
300
200
70
50
100
VCE = 5.0 V
TJ = 25
°
C
Figure 11. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2484 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(NPN Silicon)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor
MMBT2907 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT2907ALT3 General Purpose Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT2484LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS LN XSTR NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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