型號: | MMBT2484LT1 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | Low Noise Transistor |
中文描述: | 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大小: | 291K |
代理商: | MMBT2484LT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT2484 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
MMBT2484LT1 | Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
MMBT2907AWT1 | General Purpose Transistor |
MMBT2907 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
MMBT2907ALT3 | General Purpose Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT2484LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2484LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS LN XSTR NPN 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT28S | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
MMBT2907 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SMD SOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-23 |